แอพนี้เป็นคู่มือฟรีฉบับสมบูรณ์ของ Mos ICs And Technology ซึ่งครอบคลุมหัวข้อสำคัญ บันทึกย่อ สื่อการสอนในหลักสูตร

แอพนี้ออกแบบมาเพื่อการเรียนรู้ การแก้ไข การอ้างอิงในเวลาของการสอบและการสัมภาษณ์อย่างรวดเร็ว

แอพนี้ครอบคลุมหัวข้อที่เกี่ยวข้องส่วนใหญ่และคำอธิบายโดยละเอียดพร้อมหัวข้อพื้นฐานทั้งหมด

ครอบคลุม 114 หัวข้อของ MOS ICs & Technology โดยละเอียด 114 หัวข้อเหล่านี้แบ่งออกเป็น 8 หน่วย
บางหัวข้อที่ครอบคลุมในแอปพลิเคชันนี้คือ:

1. กฎของมัวร์
2. การเปรียบเทียบเทคโนโลยีที่มีอยู่
3. ทรานซิสเตอร์ MOS พื้นฐาน
4. โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพ การกระทำของทรานซิสเตอร์:
5. การผลิต NMOS:
6. การผลิต CMOS- P-WELL PROCESS
7. กระบวนการผลิต CMOS-N-WELL PROCESS:
8. การผลิต CMOS-Twin-tub process
9. เทคโนโลยี Bi-CMOS: - (Bipolar CMOS):
10. การผลิตหน้ากากอีบีม
11. ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับทรานซิสเตอร์ MOS
12. ความสัมพันธ์ระหว่าง Vgs และ Ids สำหรับ Vds แบบตายตัว
13. สมการ MOS (สมการกระแสตรงพื้นฐาน):
14. เอฟเฟกต์อันดับสอง
15. ลักษณะ CMOS INVETER
16. ลักษณะของอินเวอร์เตอร์ DC
17. กราฟที่มาของลักษณะ DC อินเวอร์เตอร์
18. อัตราเสียงรบกวน
19. อินเวอร์เตอร์ MOS โหลดแบบคงที่
20. ประตูส่ง
21. Tristate Inverter
22. ไดอะแกรมติด-การเข้ารหัสสำหรับกระบวนการ NMOS
23. การเข้ารหัสสำหรับกระบวนการ CMOS
24. การเข้ารหัสสำหรับ BJT และ MOSFET
25. สไตล์การออกแบบ NMOS และ CMOS
26. กฎการออกแบบ - MOS ICs & Technology
27. เวีย
28. กฎการออกแบบตาม CMOS แลมบ์ดา
29. กระบวนการ Orbit 2um CMOS
30. การประมาณค่าความต้านทาน
31. ความต้านทานแผ่นของมอสทรานซิสเตอร์
32. การประมาณค่าความจุ
33. ล่าช้า
34. อินเวอร์เตอร์ล่าช้า
35. การประมาณค่าความล่าช้าอย่างเป็นทางการ
36. ขับเคลื่อนโหลด capacitive ขนาดใหญ่
37. ค่าที่เหมาะสมของ f
38. ซุปเปอร์บัฟเฟอร์
39. ไดรเวอร์ Bicmos
40. การขยายพันธุ์ล่าช้า
41. แหล่งความจุอื่น ๆ
42. การเลือกชั้น
43. การปรับขนาดอุปกรณ์ mos
44. ภาพรวมการออกแบบทางกายภาพขั้นพื้นฐาน
45. ภาพรวมการออกแบบทางกายภาพขั้นพื้นฐาน
46. ​​แผนผังและเลย์เอาต์ของเกทพื้นฐาน-Inverter Gate
47. แผนผังและเลย์เอาต์ของเกทพื้นฐาน-NAND และ NOR Gate
48. ประตูส่ง
49. การออกแบบเซลล์มาตรฐาน CMOS
50. การเพิ่มประสิทธิภาพเลย์เอาต์เพื่อประสิทธิภาพ
51. แนวทางการจัดวางทั่วไป
52. ตรรกะ BICMOS
53. ตรรกะ nmos หลอก
54. รูปแบบอื่น ๆ ของ pseudo nmos- Multi drain logic และ Ganged logic
55. รูปแบบอื่น ๆ ของ pseudo nmos- Dynamic cmos logic
56. รูปแบบอื่น ๆ ของ pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. CMOS โดมิโนลอจิก
58. ลอจิกสวิตช์แรงดันไฟฟ้าแบบเรียงซ้อน
59. ลอจิกทรานซิสเตอร์ Pass
60. โครงสร้างวงจรลอจิกเทคโนโลยี CMOS
61. การปรับขนาดวงจร MOS
62. การปรับขนาดเทคโนโลยี
63. แผนงานเทคโนโลยีระหว่างประเทศสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ (ITRS)
64. แบบจำลองมาตราส่วนและปัจจัยมาตราส่วนสำหรับพารามิเตอร์อุปกรณ์
65. ผลกระทบของการปรับขนาด
66. การเชื่อมต่อระหว่างกัน Woes
67. รัศมีที่เข้าถึงได้
68. พลังไดนามิกและสถิต
69. ผลผลิตและขีดจำกัดทางกายภาพ
70. ข้อจำกัดของการปรับขนาด
71. สารเติมแต่งสารตั้งต้น
72. ความกว้างพร่อง
73. ขีด จำกัด ของการย่อขนาด
74. ขีด จำกัด ของการเชื่อมต่อระหว่างกันและความต้านทานการติดต่อ
75. ขีด จำกัด เนื่องจากกระแสน้ำย่อย
76. ขีด จำกัด เนื่องจากกระแสน้ำย่อย
77. ระบบ
78. ขั้นตอนการออกแบบ VLSI
79. 3 วิธีการออกแบบโครงสร้าง
80. ความสม่ำเสมอ
81. MOSFET เป็นสวิตช์
82. การเชื่อมต่อแบบขนานและแบบอนุกรมของสวิตช์
83. อินเวอร์เตอร์ CMOS
84. การออกแบบเกท NAND
85. การออกแบบประตู NOR
86. คุณสมบัติ CMOS
87. ประตูที่ซับซ้อน
88. ประตูที่ซับซ้อน AOI

หัวข้อทั้งหมดไม่อยู่ในรายการเนื่องจากข้อจำกัดของอักขระ

แต่ละหัวข้อจะสมบูรณ์ด้วยไดอะแกรม สมการ และรูปแบบอื่นๆ ของการแสดงกราฟิกเพื่อการเรียนรู้และความเข้าใจที่รวดเร็วยิ่งขึ้น

คุณสมบัติ :
* บทที่ฉลาดสมบูรณ์หัวข้อ
* เค้าโครง UI ที่หลากหลาย
* โหมดอ่านที่สะดวกสบาย
* หัวข้อการสอบที่สำคัญ
* ส่วนต่อประสานผู้ใช้ที่ง่ายมาก
* ครอบคลุมหัวข้อส่วนใหญ่
* คลิกเดียวรับหนังสือทั้งหมดที่เกี่ยวข้อง

แอพนี้มีประโยชน์สำหรับการอ้างอิงอย่างรวดเร็ว การแก้ไขแนวคิดทั้งหมดสามารถทำได้ภายในไม่กี่ชั่วโมงโดยใช้แอพนี้

แทนที่จะให้คะแนนเราที่ต่ำกว่า โปรดส่งอีเมลถึงข้อสงสัย ปัญหา และให้คะแนนและข้อเสนอแนะที่มีค่าแก่เรา เพื่อให้เราสามารถพิจารณาสำหรับการอัปเดตในอนาคต เรายินดีที่จะแก้ปัญหาให้กับคุณ